Поједини делови за раст кристалног кристала

ВЕТЕКСЕМЕМОНОВ ПРОИЗВОД, ТХЕТанталум Царбиде (ТАЦ) премазПроизводи за јединствени процес раста СИЦ-а, бави се изазовима повезаним са интерфејсом раста кристала раста силицијума, сиц-а, посебно свеобухватним оштећењима који се јављају на кристалној ивици. Применом ТАЦ премаза, циљ нам је да побољшамо квалитет раста кристала и повећамо ефикасно подручје Цристал-овог центра, који је пресудан за постизање брзог и густинског раста.

ТАЦ премаз је основно технолошко решење за растући квалитетСић Јединствени процес раста кристала. Успешно смо развили технологију ТАЦ премаза користећи хемијску таложење паре (ЦВД), који је достигао међународно напредни ниво. ТАЦ има изузетна својства, укључујући високу тачку топљења до 3880 ° Ц, одлична механичка чврстоћа, тврдоћа и топлотна отпорност на ударце. Такође показује добру хемијску инертност и топлотну стабилност када је изложена високим температурама и супстанци попут амонијака, водоника и силицијум-који садржи паре.

ВекекемицОн'сТанталум Царбиде (ТАЦ) премазНуди решење за решавање проблема везаних за ивицу у поступку појединачног раста кристала, побољшавајући квалитет и ефикасност процеса раста. Помоћу наше напредне технологије ТАЦ премате, циљ нам је да подржимо развој треће генерације полуводичке индустрије и смањити зависност од увезених кључних материјала.

ПВТ метода СИЦ појединачни процес раста кристала Резервни делови:

ТАЦ пресвучен је лондер, носилац семена са ТАЦ премазом, ТАЦ-ов водич за превлачење, важни су делови у СИЦ и АИН-у појединачно кристалној пећи ПВТ методом.

● Отпорност на високу температуру

●  Висока чистоћа, неће загађивати СИЦ сировине и сичке појединачне кристале.

●  Отпоран на Ал Стеам и Н₂цорросион

●  Висока еутектичка температура (са Алн) да би скратили циклус припреме кристала.

●  Рециклирање (до 200х), побољшава одрживост и ефикасност припреме таквих појединих кристала.