ТАЦ пресвучен прстен за ПВТ раст СИЦ појединачног кристала

Тренутно се уређаји за напајање СИЦ постају све популарнији, тако да је сродна производња полуводича за семицондуцтор је важнија, а својства СИЦ-а морају се побољшати. Сиц је подлоге у полуводичу. Као неопходна сировина за СИЦ уређаје, како ефикасно произвести СИЦ Цристал једна је од важних тема. У процесу растућег система СИЦ-а од стране ПВТ-а (физички транспорт паре), ТАЦ превучени прстен за ПВТ раст појединачних кристала за ПВТ појединачни кристал игра незамјењиву и важну улогу. Након пажљивог дизајна и производње, овај ТАЦ превучени прстен вам пружа одличне перформансе и поузданост, осигуравајући ефикасност и стабилностРаст система на сићуПроцес.

Премаз у Тантуалум Царбиде (ТАЦ) стекао је пажњу због високог тачака топљења до 3880 ° Ц, одлична механичка чврстоћа, тврдоће и отпорности на топлотне шок, што га чини атрактивном алтернативом да се једини захтеви за полуводиче, са вишим захтевима за натјерање на ПВТ начин натјера.

Тац пресвучен прстенФункције производа

(И) висококвалитетни материјал за превлачење ТАЦ-а са графитним материјалом

Прстен пресвучен ПВТ-а за ПВТ раст сичког појединачног кристала помоћу висококвалитетног СГЛ графитног материјала као супстрат, има добру топлотну проводљивост и изузетно високу стабилност материјала. ЦВД ТАЦ премаз пружа непорозну површину. Истовремено, чистоће ЦВД ТАЦ (ТАНЛАЛУМ ЦАРБИДЕ) користи се као материјал за превлачење, који има изузетно велику тврдоћу, тачку топљења и хемијску стабилност. ТАЦ премаз може да одржава одличне перформансе на високом температури (обично до 2000 ℃ или више) и високо корозивно окружење раста система Кристал СИЦ-а путем ПВТ методе, ефикасно одупиру хемијским реакцијама и физичкој ерозији токомСИЦ раст, увелико проширите радни век прстена за облагање и смањите трошкове одржавања опреме и време застоја.

10 уМ 300 μм

Превлака на тацса високом кристализацијом и одличном униформном

(Ии) Прецизни поступак премаза

Напредна технологија процеса ЦВД ЦОАТИНГ технологије Ветека осигурава да је ТАЦ премаз равномерно и густо прекривен површином прстена. Дебљина премаза може се прецизно контролисати на ± 5ум, осигуравајући уједначену дистрибуцију поља температуре и поља протока ваздуха током процеса раста кристала, који погодује висококвалитетној и великом величини расту и висококвалитетних раста кристала велике величине.

Опште дебљине премаза је 35 ± 5ум, такође га можемо прилагодити према вашем захтеву.

(Иии) одлична стабилност високог температура и топлотна отпорност на ударце

У високотемпортне окружењу ПВТ методе, ТАЦ пресвучен прстен за раст ПВТ-а СИЦ појединачног кристала показује одличну топлотну стабилност.

Отпорност на Х2, НХ3, СИХ4, СИ

Ултра висока чистоћа да се спречи контаминација процеса

Висока отпорност на топлотне шокове за брже циклусе рада

Може да подстакне дуготрајно печење високих температура без деформације, пукотине или превлачења. Током раста кристала СИЦ-а, температура се често мења. ТАЦ превучени прстен ТАЦ-а за ПВТ раст СИЦ појединачног кристала има одличну топлотну отпорност на ударце и може се брзо прилагодити брзим променама на температури без пуцања или оштећења. Даље побољшати ефикасност производње и квалитет производа.

Семицондуцтор Ветек је добро упознат да различити купци имају различите опреме и процесе ПВТ Сиц Цристал Цристал, па пружа прилагођене услуге за ПВТ пресвучен прстен за ПВТ раст појединог кристала ПВТ-а. Било да је то величине спецификације прстена, дебљине облоге или посебне захтеве за перформансама, можемо је прилагодити према вашим захтевима како би се осигурало да производ савршено одговара вашој опреми и процесу, пружајући вам најоптимизованији решење.

Физичка својства ТАЦ премаза

То полуводичТац пресвучен прстен Производне продавнице