Сампле Маппинг

На основу физичког узорка који је дао купац (чак и ако се ради о истрошеном или поломљеном коришћеном делу), нудимо услугу целог спектра у распону од обрнутог инжењеринга физичке структуре до физичко-хемијске карактеризације на нивоу материјала. Користећи опрему за високо прецизну инспекцију полупроводника, ми прецизно квантификујемо сложене 3Д геометријске структуре, својства интерфејса премаза/подлоге и физичке параметре материјала, обезбеђујући да производ са обрнутим инжењерингом испуњава или премашује ОЕМ стандарде у физичком стању, компатибилности процеса и животном веку (Форм-Фит-Фунцтион Реплацемент).

Шта меримо (технички резултати):

• Димензионалне и геометријске толеранције:Користећи машине за мерење координата високе прецизности (ЦММ) и оптичке 3Д скенере, вршимо моделирање пуне величине у облаку тачака и реконструкцију сложених структура шупљина и рупа за монтажу/лоцирање, постижући прецизност на нивоу микрона.
• Микроморфологија и равност површине:Коришћење интерферометара белог светла и оптичких профилометара за процену храпавости површине нанометарске скале (Ра) и равности великих површина, испуњавајући захтеве за руковање плочицама и заптивање коморе.
• Едге микро-функције:Мапирање ивица Р-радијуса и микро-профила са великим увећањем ради оптимизације морфологије успона премаза и избегавања концентрације напона на оштрим угловима који могу да изазову раслојавање при високој температури.
• Графитна подлога и анализа термичког подударања:Процена густине графитне подлоге високе чистоће, величине зрна и коефицијента топлотног ширења (ЦТЕ) да би се обезбедило подударање термичког напрезања између подлоге и ЦВД премаза.
• Попречни пресек премаза и квалитет лепљења интерфејса:Недеструктивна КСРФ и металографска СЕМ анализа попречног пресека за мерење апсолутне дебљине, радијалне униформности ЦВД превлаке и дубине пенетрације интерфејса.
• Фазна структура и анализа микрокристала:КСРД процена чистоће кубичне фазе (β-СиЦ) ЦВД СиЦ; квалитативна процена хемијске стехиометрије и карактеристика кристалне структуре ЦВД ТаЦ.

Стварни случај и предности за клијенте (искуство):

Купац полупроводничке компоненте за гравирање од 12 инча:ОЕМ снабдевање је прекинуто; био је доступан само један истрошени половни део. Кроз ЦММ реверзно моделирање + анализу попречног пресека СЕМ премаза, завршили смо развој заменских делова и тестирање на алату у року од 2 месеца без икаквих оригиналних цртежа, постигавши 100% уклапање у инсталацију. На крају, циклус набавке компоненти је смањен са првобитног 6-месечног времена увоза на 2 месеца, цена набавке је пала за 42%, а овај модел је стабилно испоручен за више од 30 серија.

Превлака од силицијум карбида (СиЦ) на попречном пресеку СЕМ превлаке

ФАК

Започните своју ексклузивну услугу одмах