Порозни графит

Произвођачи СиЦ супстрата обично користе дизајн лончића са порозним графитним цилиндром за процес врућег поља. Овај дизајн повећава површину испаравања и запремину пуњења. Развијен је нови процес за решавање кристалних дефеката, стабилизацију преноса масе и побољшање квалитета кристала СиЦ. Укључује метод фиксирања кристалног лежишта без семена за термичко ширење и ублажавање напрезања. Међутим, ограничена понуда графита у тиглу и порозног графита представља изазове за квалитет и принос монокристала СиЦ.

Кључне карактеристике ВеТек Семицондуцтор порозног графита:

1. Толеранција на високу температуру окружења - Производ може издржати околину од 2500 степени Целзијуса, показујући одличну отпорност на топлоту.

2. Строга контрола порозности - ВеТек Семицондуцтор одржава чврсту контролу порозности, обезбеђујући доследне перформансе.

3.Ултра-висока чистоћа - Коришћени порозни графитни материјал постиже висок ниво чистоће кроз ригорозне процесе пречишћавања.

4. Одлична способност везивања површинских честица - ВеТек Семицондуцтор има одличну способност везивања површинских честица и отпорност на адхезију праха.

5. Транспорт гаса, дифузија и униформност - Порозна структура графита олакшава ефикасан транспорт и дифузију гаса, што резултира побољшаном униформношћу гасова и честица.

6.Контрола квалитета и стабилност - ВеТек Семицондуцтор наглашава високу чистоћу, низак садржај нечистоћа и хемијску стабилност како би осигурао квалитет у расту кристала.

7.Контрола температуре и уједначеност - Топлотна проводљивост порозног графита омогућава равномерну дистрибуцију температуре, смањујући напрезање и дефекте током раста.

8.Побољшана дифузија раствора и брзина раста - Порозна структура промовише равномерну дистрибуцију раствора, повећавајући брзину раста и уједначеност кристала.