Син прах високе чистоће

1. Висока чистоћа: СИЦ садржај је 99.9999%, садржај нечистоће је врло низак, што смањује штетни утицај на перформансе полуводичких и фотонапонских уређаја и побољшава конзистентност и поузданост производа.

2 Одлична физичка својства: укључујући велику тврдоћу, велику чврстоћу и високу отпорност на хабање, тако да може одржати добру структурну стабилност током прераде и употребе.

3. Висока топлотна проводљивост: Може брзо да спроведе топлоту, помажу у побољшању ефикасности дисипације топлоте уређаја, смањити радну температуру, чиме се продужава радни век уређаја.

4. Коефицијент ниске експанзије: Промена величине је мала када се температурне промене, смањују материјал пуцање или пад перформанси изазваним термичким ширењем и контракцијама.

5. Добра хемијска стабилност: Отпорност на киселину и алкални корозирање, могу остати стабилни у сложеном хемијском окружењу.

6 Карактеристике широког опсега: са високим кваровима електричне енергије и електрона засићења Строе брзина, погодна за производњу високих температура, високофреквентних и висококвалитетних полуводичких уређаја.

7. Високо електронска мобилност: погодно је побољшање радне брзине и ефикасности полуводичких уређаја.

8 Заштита животне средине: релативно мала загађење окружењу у процесу производње и употребе.

Посемичка индустрија:

- Материјал подлоге: СИЦ СИЦ прах високе чистоће може се користити за производњу супстрата силиконске карбиде, који се може користити за производњу високофреквентних, високих уређаја високог притиска и РФ уређаја.

Епитаксијални раст: У поступку производње полуводича, силиконски карапски прах високих чистоћа може се користити као сирови материјал за раст епитаксија, који се користи за израду висококвалитетних силицијума силицијум-карбида епитаксијалних слојева.

-Пакућајући материјали: прах за силиконски карбид високе чистоће може се користити за производњу материјала за паковање полуводича како би се побољшало перформансе расипавања топлоте и поузданост пакета.

Фотонолна индустрија:

Кристалне силицијумске ћелије: у производном процесу кристалних силицијума ћелија, силиконски каребидни прах високих чистоћа може се користити као дифузијски извор за формирање п-н раскрснице.

- Танка филмска батерија: У производном процесу танколије филма батерија, силиконски карапски карапски прах високих чистоћа може се користити као мета за пуцање таложења филма силицијум карбида.