Наш СИЦ обложени Планетарни суцептор је основна компонента у процесу високотемпондуцторског производње полуводича. Његов дизајн комбинује графитску подлогу са силиконским карбидом премазом да би се постигла свеобухватна оптимизација перформанси топлотног управљања, хемијску стабилност и механичку чврстоћу.
СИЦ обложени планетарни суцептор је планетарни носач обложенСилицијум карбида (СИЦ), која се углавном користи у поступцима омаловажавања полуводичких материјала, као што су метал-органски хемијски таложење паре (МОЦВД), молекуларна епитаксија (МБЕ), итд. Његова главна функција је да се носи и ротира вафла како би се осигурала материјална уједначена и термичка поља. Његова главна функција је да се носи и ротира вафла како би се осигурала конзистентност уједначености материјала и термичкој области, а СИЦ премаз пружа носач са одличном високом температурном отпорношћу, отпорношћу на високу температуру и топлотну проводљивост за полупречности се полуводичивафренОбрада.
Сценари за основне апликације за СИЦ обложени планетарни суцептор
МОЦВД ЕПИТЕКСИЈАЛНИ ПРОЦЕС раста
У процесу МОЦВД-а, планетарни суцептор СИЦ-а се углавном користи за ношење вафла силицијума (СИ), силицијум карбида (сиц), галијум нитрид (ГАН), галијум арсенид (гаас) и других материјала.
● Функционални захтеви: Прецизно позиционирање и синхронизована ротација вафера како би се осигурала јединствена дистрибуција материјала од парамарираних паре на површини резета и повећати уједначеност филма дебљине и састав.
● Предност: СИЦ премази су веома отпорни на корозију и могу издржати ерозију високо реактивних металних органских прекурсора као што су триметилгаллиум (ТМГА) и триметилиндијум (ТМИН), продужавајући свој радни век.
Производња силицијум карбида (сиц)
Планетарни суцептор СИЦ-а се широко користи у епитаксијалном расту уређаја СИЦ напајања, као што су МОСФЕТ, ИГБТ, СБД и други уређаји.
● Функционални захтеви: Обезбедите стабилну платформу за топлотну изједначавање у окружењима високих температура како би се осигурало квалитет кристализације епитаксија и оштећења.
●Предност: СИЦ премази су отпорни на високу температуру (> 1600 ° Ц) и имају коефицијент топлотне експанзије (4,0 × 10 ^ -6 к ^ -1) близу вафера од силицијума, који ефикасно смањује топлотне напоне и побољшава квалитет и стабилност епитаксија.
Дубоко ултраљубичасто (ДУВ) и ултраљубичасто ЛЕД епитаксарија
Планетарни суцептор СИЦ-а је погодан за епитаксијални раст материјала као што су галијум нитрид (ГАН) и алуминијумски галијум нитрид (АЛГАН) и широко се користи у производњи УВ-ЛЕД-ова и микро ЛЕД-ова.
● Функционални захтеви: Одржавајте прецизну контролу температуре и уједначену дистрибуцију ваздуха како би се осигурала тачност таласне дужине и перформансе уређаја.
● Предност: Висока топлотна проводљивост и отпорност на оксидацију омогућавају одличну стабилност на високим температурама током дугих периода рада, помажући побољшању светлосне ефикасности и доследности ЛЕД чипова.
Изаберите векемицно
Планетарни суцептор СИЦ-а ВЕТЕКСЕМЕМЕМОН је показао незамјењиве предности у високом температуру, корозивном полуводичком производном окружењу кроз његова јединствена својства материјала и механичким дизајном. А наши главни планетарни производи за суцепцију су планетарни суцептор СИЦ-а,Алд Планетарни суцептор, ПЛАНЕТАРНИ СУПЛЕР ТАЦи тако даље. Истовремено, ВетеКсемицон је посвећен пружању прилагођених производа и техничких услуга полуводичкој индустрији. Искрено се радујемо вашем дугорочном партнеру у Кини.
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
Користимо колачиће да бисмо вам понудили боље искуство прегледања, анализирали саобраћај на сајту и персонализовали садржај. Коришћењем овог сајта прихватате нашу употребу колачића. Политика приватности