МОЦВД епитаксијални сусцептор за 4" плочицу је дизајниран да расте епитаксијални слој од 4". ВеТек Семицондуцтор је професионални произвођач и добављач, који је посвећен обезбеђивању висококвалитетног МОЦВД епитаксијалног сусцептора за 4" плочицу. Са прилагођеним графитним материјалом и процесом премаза СиЦ. У могућности смо да пружимо стручна и ефикасна решења нашим клијентима. Добродошли сте да комуницирате са нама.
Семицондуцтор Ветек је професионални лидер Кина Моцвд Епитаксијални суцептор за 4 "произвођач вафла са високом квалитетом и разумном ценом. Добродошли да нас контактирате. Моцвд Епитаксијални суцептор за 4" је критична компонента у металној компоненти у металној органској хемијској таложењу на метално-органску хемијску пару (МОЦВД) Процес, који се широко користи за раст висококвалитетних епитаксијашких танких филмова, укључујући галијум нитрид (ГАН), алуминијум нитрид (АЛН) и силицијум карбида (СИЦ). Суцептор служи као платформа за одржавање подлоге током процеса раста епитаксија и игра пресудну улогу у осигуравању јединствене дистрибуције температуре, ефикасном преносу топлоте и оптималним условима раста.
МОЦВД епитаксијални сусцептор за 4" плочицу је обично направљен од графита високе чистоће, силицијум карбида или других материјала са одличном топлотном проводљивошћу, хемијском инертношћу и отпорношћу на топлотни удар.
Апликације:
Моцвд ЕпитакАксијални суцептори Пронађите апликације у разним индустријама, укључујући:
Електроника електричне енергије: раст транзистора високо-електрона заснованих на ГАН-у (Хемтс) за високо-фреквенцијске апликације.
Оптоелектроника: раст диода који емитује ГАН засноване на светлосно и ласерским диодама за ефикасно расвете и технологије осветљења и приказа.
Сензори: раст пиезоелектричних сензора на бази АлН за детекцију притиска, температуре и акустичних таласа.
Електроника са високим температурама: раст уређаја заснованих на СИЦ-у за високотемтем и високо напајање апликација.
Параметар производа МОЦВД епитаксијалног сусцептора за 4" плочицу
Физичка својства изостатског графита
Имовина
Јединица
Типична вредност
Булк Денсити
г/цм³
1.83
Тврдоћа
ХСД
58
Електрична отпорност
μω.м
10
Снага савијања
МПа
47
Снага притиска
МПа
103
Затезна чврстоћа
МПа
31
Иоунг'с Модул
ГПА
11.8
Термичка експанзија (ЦТЕ)
10-6K-1
4.6
Топлотна проводљивост
В·м-1· К-1
130
Просечна величина зрна
μм
8-10
Порозност
%
10
Садржај пепела
ппм
≤10 (након пречишћавања)
НАПОМЕНА: Пре превлачења, прво ћемо прочистили, након превлачења, урадиће друго пречишћавање.
Основна физичка својства ЦВД СИЦ премаза
Имовина
Типична вредност
Цристал Струцтуре
ФЦЦ Пхасе поликристални, углавном (111) оријентисана
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
Користимо колачиће да бисмо вам понудили боље искуство прегледања, анализирали саобраћај на сајту и персонализовали садржај. Коришћењем овог сајта прихватате нашу употребу колачића. Политика приватности