Водећи прстен од порозног графита

Основне предности производа

1. Гаранција ултра-високе чистоће и ниске дефекте

Усваја процес пречишћавања у вакууму на високој температури од 3000℃ за дубоко уклањање неметалних нечистоћа као што су кисеоник и азот, повећавајући чистоћу производа на ≥99,9995%. Елиминише дефекте кристала изазване нечистоћама (нпр. микротубуле, дислокације) из извора, обезбеђујући конзистентност и стабилност електричних својстава СиЦ монокристала и постављајући чврсту основу за висококвалитетни раст кристала.

2. Стабилност ултра високе температуре и прецизна регулација топлотног поља

Може да издржи екстремно високе температуре од 2200℃ у аргонском или вакуумском окружењу, ради непрекидно и стабилно преко 1000 сати без омекшавања или деформације. Производ има низак коефицијент термичке експанзије, што може ефикасно избећи пуцање материјала узроковано топлотним стресом. Подржава дизајн дистрибуције градијента порозности (15-30%) и оптимизује величину пора (10-200μм) у комбинацији са ЦФД (Цомпутатионал Флуид Динамицс) технологијом симулације, контролишући флуктуацију температурног градијента унутар ±3℃ и значајно побољшавајући униформност термичког поља и конзистентност раста кристала.

3. Прилагођена адаптација и задовољство целог сценарија

• Адаптација геометријског облика: Може прецизно да обрађује сложене облике као што су прстенасте бурад и вишеслојне структуре штита у складу са структурама пећи купаца како би се постигло савршено подударање и уградња.
• Прилагођавање површинског процеса: Пружа персонализоване услуге површинске обраде као што су ултра-прецизно полирање и специјални премази, значајно повећавајући отпорност производа на корозију и радни век.

4. Проверене перформансе и побољшана ефикасност

• Када се користи као основна компонента топлотног поља у процесу кристализације ПВТ СиЦ, верификовано је у практичним сценаријима:
• Стопа раста кристала је повећана за 15%-20% у поређењу са традиционалним производима од графита, значајно скраћујући производни циклус.
• Принос 4-инчних СиЦ монокристалних плочица прелази 90%, што ефективно смањује трошкове производње.
• Циклус одржавања опреме је продужен са уобичајених 3 месеца на 6 месеци, смањујући учесталост одржавања у искључењу и побољшавајући ефикасност производње.
  
  

Сценарији апликација

• Склоп пећи за раст ПВТ: Служи као основна компонента за сублимацију СиЦ материјала и раст кристала, обезбеђујући стабилну и уједначену дистрибуцију топлотног поља како би се обезбедио несметан напредак процеса кристализације.
• Компонента заштите од топлотног поља: Јединствена порозна структура може ефикасно ублажити термички стрес, смањити хабање опреме и продужити укупан век трајања опреме.
• Додатак за подршку семенским кристалима: Поседује високу механичку чврстоћу за стабилну подршку кристалима семена, обезбеђујући прецизност усмереног раста кристала.
• Слој за дифузију гаса: Оптимизује ефикасност преноса гасне фазе, промовише уједначену сублимацију и таложење сировина и даље побољшава квалитет и брзину раста монокристала.

Тецхницал Параметерс

Кључни детаљи такмичења

• Екстремне перформансе при високим температурама: Одржава структурну стабилност на 2200℃ без омекшавања или деформације, подржавајући континуирани рад преко 1000 сати како би се задовољили екстремни захтеви процеса.
• Прилагођено решење за термичко поље: Ослања се на технологију симулације ЦФД-а за оптимизацију дизајна градијента пора, прецизно усклађивање са процесним потребама купаца и побољшање уједначености кристала и приноса производа.
• Услуга брзог одговора: Пружа услуге тестирања упаривања параметара процеса и испоручује прототип решења у року од 72 сата, помажући клијентима да убрзају процесе истраживања и развоја и производње.