Вести

Супстрати Силицијум карбида имају много оштећења и не могу се директно обрадити. Потребан је специфичан појединачни кристални танки филм на њима кроз епитаксијални процес да би се чипови направили. Овај танки филм је епитаксијални слој. Скоро сви уређаји за силицијум карбида реализују се на епитаксијалним материјалима. Висококвалитетни хомогени епитаксијални материјали силиконске карбиде основа су за развој уређаја за силицијум карбида. Перформансе епитаксијалних материјала директно одређује реализацију перформанси силицијумних карбидних уређаја.

Силиконски карбид је преобликовање полуводичке индустрије за примену електричне и високотемперате, са својим свеобухватним својствима, од епитаксијалних подлога на заштитне премазе на електрична возила и обновљиве енергетске системе.

Висока чистоћа: Силицијумски епитаксијални слој узгајан хемијским таложењем из паре (ЦВД) има изузетно високу чистоћу, бољу равност површине и мању густину дефеката од традиционалних плочица.

Чврсти силицијум карбид (СИЦ) постао је један од кључних материјала у производњи полуводича због својих јединствених физичких својстава. Следе анализа својих предности и практичне вредности на основу својих физичких својстава и његових специфичних апликација у полуводичкој опреми (као што су носачи од лима, тушем, зашивени фокусирани прстенови итд.).