Вести

У доба брзе технолошке развоја, 3Д штампање, као важан представник напредне технологије производње, постепено мења лице традиционалне производње. Уз континуирану рочност технологије и смањење трошкова, 3Д технологија штампања показала је широке перспективе примене у многим областима као што су ваздухопловна, производња аутомобила, медицинске опреме и архитектонски дизајн и промовисала иновације и развој ових индустрија.

Монокристални материјали сами по себи не могу задовољити потребе растуће производње разних полупроводничких уређаја. Крајем 1959. године развијен је танак слој технологије раста монокристалног материјала – епитаксијални раст.

Силиконски карбид је један од идеалних материјала за прављење високих температура, високог фреквенцијских и високонапонских уређаја. Да би се побољшала ефикасност производње и смањење трошкова, припрема силицијума са силиконским карбидима важан је правац развоја.

Према прелазним вестима, два извора откривена 24. јуна да се на тонилансира са америчким дизајном Цхип Цомпани Броадцом-а да развије напредна информационо-процесор за вештачку интелигенцију (АИ), који ће помоћи подземном понудом да се адекватно снабдева врхунским циповима у Кини и Сједињене Државе.

Као водећи произвођач у СиЦ индустрији, Санан Оптоелецтроницс повезана динамика је добила широку пажњу у индустрији. Недавно је Санан Оптоелецтроницс открио низ најновијих достигнућа, укључујући трансформацију од 8 инча, производњу нове фабрике супстрата, оснивање нових компанија, владине субвенције и друге аспекте.

У расту сиц и алн појединачних кристала коришћењем методе физичког паре (ПВТ), пресудне компоненте као што су лондер, носилац семена и вођански прстен играју виталну улогу. Као што је приказано на слици 2 [1], током ПВТ процеса, семено кристал је постављен у доњем температурном региону, док је СИЦ сировина изложена вишим температурама (изнад 2400 ℃).