Трој педалској графитији Цруцибле

Троутална графичка ВЕТЕК Тро-латица Цруцибле Дизајнирана за процес раста монокристалног силицијума ЦЗ методом, тро-латица структура графитског графита израђена је од изостатског графитног материјала високе чистоће. Кроз иновативну тро-латичну структуру, традиционална интегрисана мањиња може ефикасно решити потешкоће од демонтажа, концентрације топлотне стреса и друге индустрије боли у болници и широко се користе у фотонапонским силиконским ваферима, полуводичким ваферима и другим врхунским производним пољима.

Основни процес језгра

1. Ултра прецизијска технологија за обраду графите

Материјална чистоћа: употреба изостатског пресованог графитног супстрата са садржајем пепела <5ппм ако је потребно и генерално <10ппм да осигура нулту загађење у процесу топљења силицијума

Структурно јачање: После графитизованог на 2200 ℃, снага савијања је ≥45МПА, а коефицијент топлотне експанзије је ≥4.6 × 10⁻⁶ / ℃

Површински третман: 10-15μм пиролитичког угљеника депонован је ЦВД процесом ради побољшања отпорности на оксидацију (губитак тежине <1,5 %/100х@1600℃).

2. Иновативна дизајн тросјакалне структуре

Модуларна склоп: 120 ° Структура троструке структуре, инсталација и демонтажа је повећана за 300%

Дизајн ослобађања стреса: Сплит структура ефикасно распршује стрес топлотне експанзије и проширује радни век на више од 200 циклуса

Прецизност фит: јаз између вентила је <0,1 мм, а керамички лепљиви високих температура обезбеђује нулту цурење у процесу топљења силицијума

3. Прилагођене услуге обраде

Подршка Φ16 "-Φ40" Прилагођавање пуне величине, контрола толеранције на зиду ± 0,5 мм

Структура градијентне густине 1.83г / цм³ може се одабрати да оптимизује дистрибуцију термичког поља

Омогућите процесе додавања вредности као што су боронски нитридни композирани премаз и јачање руда и руда Рхениум

Типични сценариј апликације

Фотонапонска индустрија

Моноцристаллине Силицон Род Континуирани цртеж: Погодно за Г12 Величина Силицијум од производње вафлине, подршка 500КГ Капацитет за учитавање

Н-тип Топцон Батерија: Ултра-ниска миграција нечистоће гарантује мањински живот> 2мс

Надоградња топлотног поља: Компатибилан је са маинстреам појединачним кристалним моделима (ПВИ, Ферротец итд.)

Производња полуводича

8-12 инчна полукроворт-класна монокристални силицијум раст: испуњава полу-стандардне захтеве за чистоћу класе-10

Специјални допед кристали: Прецизна контрола борбе / фосфорне дистрибуције дистрибуције

Семикон треће генерације: Компатибилни поступци јединственог система кристала

Научно истраживано поље

Истраживање и развој ултра-танких силицијумних вафера за свемирске соларне ћелије

Тест раста нових кристалних материјала (германијум, галијум арсенид)

Ограничење истраживања параметара (3000 ℃ Експеримент топљења ултра високе температуре)

Систем осигурања квалитета

ИСО 9001/14001 Двоструки систем сертификата

Обезбедите извештај о испитивању материјала за купце (анализа КСРД састава, сем микроструктура)

Систем за сљедивост целог процеса (ласерски обележавање + блок складиштење)