Производи

ГАН на СИЦ ЕПИ суцепту игра виталну улогу у полуводичкој обради кроз одличну топлотну проводљивост, високу способност прераде температуре и хемијске стабилности и обезбеђује високу ефикасност и квалитет материјала ГАН-овог процеса цитаксија ГАН. Семицондуктор Ветек је кинески професионални произвођач ГАН-а на СИЦ ЕПИ суцепту, искрено се радујемо вашим даљим консултацијама.

ЦВД ТАЦ прекривач је углавном дизајниран за епитаксијални процес производње полуводича. ЦВД ТАЦ прекривач ултра-високог тачака топљења, одлична отпорност на корозију и изванредна топлотна стабилност одређује неопходност овог производа у полуводичкој епитаксијачком поступку. Добродошли на ваше даље упите.

Ветеков ЦВД СИЦ превлака се углавном користи у СИ ЕПИТАКСИ. Обично се користи са силицијумним преградама. Комбинује јединствену високу температуру и стабилност прекривене прекривене прекривене ЦВД, што увелико побољшава јединствену дистрибуцију протока ваздуха у производњи полуводича. Вјерујемо да наши производи могу вам донети напредна технологија и висококвалитетна решења производа.

ЦВД СИЦ Грапхитни цилиндар Ветек графит је у облику полуводичке опреме, који служи као заштитни штит у реакторима за заштиту унутрашњих компоненти у високим температурама и подешавањима притиска. Ефективно се оклопи против хемикалија и екстремних топлотних топлоте, очување опреме опреме. Уз изузетну отпорност на хабање и корозију, осигурава дуговечност и стабилност у изазовним окружењима. Користећи ове омоте појачавају перформансе уређаја за полуводиче, продужени животни век и ублажава захтеве за одржавање и оштећења ризика.

ЦВД СиЦ млазнице за облагање су кључне компоненте које се користе у процесу ЛПЕ СиЦ епитаксије за наношење материјала од силицијум карбида током производње полупроводника. Ове млазнице су обично направљене од високотемпературног и хемијски стабилног материјала силицијум карбида како би се осигурала стабилност у тешким окружењима обраде. Дизајнирани за равномерно таложење, они играју кључну улогу у контроли квалитета и униформности епитаксијалних слојева који се узгајају у примени полупроводника. Добродошли на ваше даље испитивање.

ЦВД СИЦ сеницондуцторски заштитник за семицондуцтор је ЛПЕ Сиц Епитаксија, термин "ЛПЕ" се обично односи на епитаксу ниског притиска (ЛПЕ) у хемијској парној таложивању ниског притиска (ЛПЦВД). У полуводичкој производњи, ЛПЕ је важна технологија процеса за узгој појединачних кристалних танких филмова, који се често користи за узгој силицијумског епитаксијалног слоја или других полуводичких епитаксијачких слојева. Не оклевајте да нас контактирате за више питања.