Који је основни материјал за раст СИЦ-а?

У припреми висококвалитетних и високоноснијих силицијумних угља, језгра је потребна прецизна контрола температуре производње добрим термичким теренским материјалима. Тренутно је топлотни теренска поља Цруцибле сетови углавном користили су структурне компоненте високих чистоћа, чије су функције да се топлоте растопљеног угљеног праха и силицијума праха и да би се одржали топлоте. Графички материјали имају карактеристике високе специфичне чврстоће и специфичног модула, добар топлотни отпорност на ударце и отпорност на корозију итд. Међутим, они имају недостатке као што су једноставна оксидација у окружењима богатог на високим температурама, сиромашним отпором на кисеонику, лошом отпорношћу на амонијаку и лош отпорност на огреботине. У расту једноструких кристала силицијумског карбида и производњу силиконских карбида епитаксија, тешко је испунити све строге захтеве употребе за графитне материјале, што озбиљно ограничава њихов развој и практичну примену. Према томе, премази високог температуре као што сутанталум карбидпочео да се диже.

Тац керамика има место топљења чак 3880 ℃, која садржи велику тврдоћу (ММС Тврдоћа 9-10), релативно велика топлотна проводљивост (22В · М-1 · К-1), знатна флексуална чврстоћа (340-400 МПа) и релативно мали коефицијент топлотне експанзије (6,6 × 10-6К-1). Они такође показују одличну топлотну хемијску стабилност и изванредна физичка својства. ТАЦ премази имају одличну хемијску и механичку компатибилност са графитом и Ц / Ц композитима. Због тога се широко користе у ваздухопловној термичкој заштити, јединственом расту кристала, енергетској електроници и медицинским уређајима, између осталих поља.

Тац пресвучен графит има бољу хемијску отпорност на корозију од голог графита илиСиц пресвученГрафит. Може се стабилно користити на високој температури од 2600 ° Ц и не реагује са многим металним елементима. То је најбоље извођење премаза у сценаријима једнокрилног раста и врело јеткање полуводичких трећих генерација, и може значајно да побољша контролу температуре и нечистоће у процесу. Припремите висококвалитетне вафле силицијум-карбиде и сродне епитаксијачке вафле. Посебно је погодан за узгој ГАН или Алн појединачних кристала на моквдској опреми и сићу појединачних кристала на ПВТ опреми, а квалитет одраслих једноструких кристала је значајно побољшан.