Држач за пресвучен сеницом

VСемицондуцторски носач за сеницондуцт СИЦ се обично користи за решавање и подржавање вафера током оперативне полуводича. То је високи перформансносач ваферашироко се користи у производњи полуводича. Превлачењем слоја силицијум карбида (сиц) на површиниподлоге, Производ може ефикасно спречити подлогу од корозије и побољшати отпорност на корозију и механичку чврстоћу носача одвлачења, обезбеђивање стабилности и прецизних захтева процеса обраде.

Држач за пресвучен сеницомсе обично користи за поправљање и подржавање вафера током оперативне сектора полуводича. То је носач важера високог перформанси који се широко користи у производњи полуводича. Премазом слојаСилицијум карбида (СИЦ)На површини супстрата, производ може ефикасно спречити супстрат од корозије и побољшати отпорност на корозију и механичку чврстоћуВафрни носач, обезбеђивање стабилности и прецизних захтева процеса обраде.

Силиконски карбид (СИЦ) има тачку топљења од око 2,730 ° Ц и има одличну топлотну проводљивост од око 120 - 180 В / м · к. Ова некретнина може брзо да расипа топлоту у процесима високих температура и спречава прегревање између резина и носача. Стога се држач за резање СИЦ-а обично користи силиконски карбид (сиц) пресвучен графит као супстрат.

У комбинацији са изузетно великом тврдоћом СИЦ-а (Вицкерс Тврдоћа од око 2.500 ХВ), превлачење ЦВД-а (Сиц) ЦРБИДЕ (СИЦ) може да формира густ и снажан заштитни премаз, што увелико побољшава отпорност на хабање носача за прекривене магарцем.

Вожња Ветек Семицондуцтор-а СИЦ обложени држач од стране је направљен од СИЦ-ова графита и је неопходна кључна компонента у модерним процесима епитаксије полуводича. Паметно комбинује одличну топлотну проводљивост графита (топлотна проводљивост је око 100-400 В / м · К на собној температури) и одлична хемијска отпорност на корозију и топлотна стабилност силицијумског карбида (тачка топљења СИЦ-а је око 2.730 ° Ц), савршено сусрећу о строгој захтевима данашњег висококвалитетног окружења.

Овај носилац дизајна са једном вафром може тачно да контролишеЕпитаксијални процесПараметри, који помажу у производњи висококвалитетних, високо-перформанси полуводичких уређаја. Његов јединствени структурни дизајн осигурава да се вафли поступа са највише бриге и прецизности током целог процеса, чиме се обезбеђује одличан квалитет епитаксијалног слоја и побољшање перформанси финалног полуводичког производа.

Како је Кина водећаСиц пресвученПроизвођач и вођа влаге, Ветек Семицондуцтор може да обезбеди прилагођене производе и техничке услуге у складу са вашим потребама опреме и процеса.Искрено се надамо да ћемо бити ваш дугорочни партнер у Кини.

СЕМ подаци ЦВД СИЦ филма кристалне структуре

Основна физичка својства ЦВД СИЦ премаза

Ветек полуводичка сиц обложена носач влаге продавнице: