СиЦ Цоатед Баррел Сусцептор

ВеТек Семицондуцтор је водећи произвођач, добављач и извозник СиЦ премаза и ТаЦ премаза у Кини. Придржавајући се тежње за савршеним квалитетом производа, тако да је наш СиЦ Цоатед Баррел Сусцептор био задовољан од стране многих купаца. Екстремни дизајн, квалитетне сировине, високе перформансе и конкурентна цена су оно што сваки купац жели, а то је оно што вам можемо понудити. Наравно, неопходна је и наша савршена постпродајна услуга. Ако сте заинтересовани за наше СиЦ Цоатед Баррел Сусцептор услуге, можете нас консултовати сада, ми ћемо вам одговорити на време!

ВеТек Семицондуцтор СиЦ Цоатед Баррел Сусцептор се углавном користи за ЛПЕ Си ЕПИ реакторе

ЛПЕ (Ликуид Пхасе Епитаки) силицијумска епитаксија је најчешће коришћена техника епитаксијалног раста полупроводника за наношење танких слојева монокристалног силицијума на силицијумске подлоге. То је метода раста у течној фази заснована на хемијским реакцијама у раствору за постизање раста кристала.

Основни принцип ЛПЕ силицијумске епитаксије укључује урањање подлоге у раствор који садржи жељени материјал, контролу температуре и састава раствора, омогућавајући материјалу у раствору да расте као једнокристални силицијумски слој. на површини подлоге. Подешавањем услова раста и састав раствора током раста епитаксија, може се постићи жељени кристални квалитет, дебљина и концентрација допинга.

ЛПЕ силицијумска епитаксија нуди неколико карактеристика и предности. Прво, може се изводити на релативно ниским температурама, смањујући термички стрес и дифузију нечистоћа у материјалу. Друго, ЛПЕ силицијумска епитаксија обезбеђује високу униформност и одличан квалитет кристала, погодан за производњу полупроводничких уређаја високих перформанси. Поред тога, ЛПЕ технологија омогућава раст сложених структура, као што су вишеслојне и хетероструктуре.

У ЛПЕ Силицон Епитакти, СИЦ пресвучен суцептор је пресудна епитаксијална компонента. Обично се користи за држање и подржавање силиконских подлога потребних за раст епитаксија током пружања температуре и контроле атмосфере. Сички премаз повећава издржљивост високог температура и хемијску стабилност суцептора, испуњавање захтева процеса раста епитаксија. Кориштењем суцептора за пресвлачење СИЦ-а, може се побољшати ефикасност и доследност епитаксијалног раста, обезбеђујући раст висококвалитетних епитаксијалних слојева.

Основна физичка својства ЦВД СиЦ превлаке

ЦВД СИЦ Филм Цристал Структура

ВеТек СемицондуцторСИЦ обложене цијеви за производњу суцептора