Вести

Вести

Драго нам је да са вама поделимо резултате нашег рада, новости о компанији, и да вам благовремено обавестимо о развоју и условима за именовање и смењивање особља.
Дизајн топлотног поља за раст појединачног кристала СИЦ-а06 2024-08

Дизајн топлотног поља за раст појединачног кристала СИЦ-а

Са растућом потражњом за СИЦ материјале у електроници, оптоелектроницима и другим областима, развој јединствене технологије раста кристала је постаће кључно подручје научне и технолошке иновације. Како је језгро сиц појединачне опреме за раст кристала, топлотни теренски дизајн ће наставити да прима велику пажњу и дубинско истраживање.
Историја развоја 3Ц СиЦ29 2024-07

Историја развоја 3Ц СиЦ

Континуираним технолошким напретком и дубинским истраживањима механизма, очекује се да ће 3Ц-СИЦ хетероепитаксална технологија играју важнију улогу у полуводичкој индустрији и промовисати развој електронских уређаја високог ефикасности.
Рецепт за уклањање атомског слоја27 2024-07

Рецепт за уклањање атомског слоја

Просторни АЛД, просторно изоловано таложење атомског слоја. Облата се креће између различитих позиција и изложена је различитим прекурсорима на свакој позицији. Слика испод је поређење између традиционалне АЛД и просторно изоловане АЛД.
Пробој технологије танталума карбида, сић епитаксијално загађење смањено за 75%?27 2024-07

Пробој технологије танталума карбида, сић епитаксијално загађење смањено за 75%?

Недавно је немачки истраживачки институт Фраунхофер ИИСБ пробојан у истраживању и развоју технологије превлачења танталум карбида и развио раствор премаза у спреју који је флексибилнији и еколошки прихватљиви од раствора за уклањање ЦВД-а и комерцијализовано је.
Истраживачка примена технологије 3Д штампања у индустрији полупроводника19 2024-07

Истраживачка примена технологије 3Д штампања у индустрији полупроводника

У доба брзе технолошке развоја, 3Д штампање, као важан представник напредне технологије производње, постепено мења лице традиционалне производње. Уз континуирану рочност технологије и смањење трошкова, 3Д технологија штампања показала је широке перспективе примене у многим областима као што су ваздухопловна, производња аутомобила, медицинске опреме и архитектонски дизајн и промовисала иновације и развој ових индустрија.
Технологија припреме силицијум(Си) епитаксије16 2024-07

Технологија припреме силицијум(Си) епитаксије

Монокристални материјали сами по себи не могу задовољити потребе растуће производње разних полупроводничких уређаја. Крајем 1959. године развијен је танак слој технологије раста монокристалног материјала – епитаксијални раст.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept