СиЦ прах високе чистоће за раст кристала СиЦ

1. Кључне карактеристике

· Високи нивои чистоће:Могућности чистоће достижу и до 99,9999% (6Н степен).

· Ултра-ниска количина металних нечистоћа:Минимизирана контаминација метала у траговима оптимизована за раст кристала СиЦ.

· Потпуна транспарентност:Потпуни ГДМС (масена спектрометрија сјајног пражњења) подаци за тестирање доступни за сваку серију.

· Стабилне термичке перформансе:Веома предвидљиво и униформно понашање сублимације током циклуса раста ПВТ.

· Контролисана дистрибуција величине честица:Гранулометрија се пажљиво прати како би се одржала конзистентна густина паковања.

· Прилагођене формулације:Прилагођене величине честица и криве дистрибуције доступне су на захтев.

· Стандард квалитета полупроводника:Строго произведено у оквиру система управљања квалитетом полупроводника.

2. Визуелни прикази производа

3. Техничке спецификације

4. Пријаве

· Раст ПВТ СиЦ кристала:Проводни и полуизолациони СиЦ инготи.

· Полупроводничке подлоге:Подлога за плочице и сировина за епитаксијалну обраду.

· Врхунске термичке компоненте:Напредне керамичке компоненте и премази суцептора.

· Р&Д апликације:Истраживање енергетске електронике нове генерације и високофреквентни уређаји.

5. Зашто одабрати ВеТек Семицондуцтор?

· Власничко пречишћавање:Напредне технике пречишћавања које испоручују до 6Н чистоће за раст монокристала.

· Строга контрола квалитета:Посвећено осигурање квалитета са строгом контролом контаминације полупроводника.

· Флексибилност прилагођавања:Флексибилна прилагођена величина честица која одговара различитим спецификацијама лончића за ПВТ пећ.

· Стабилан ланац снабдевања:Поуздан капацитет снабдевања гарантује стабилну дугорочну испоруку масовне производње.

· Техничка експертиза:Комплетна техничка подршка прилагођена вашим специфичним процесима раста кристала.