ЦВД ТАЦ пресвучен три-петални водич

Силицијум карбида Појединачни подложни материјал је врста кристалног материјала, који припада широком опсегу опсега полуводича. Има предности отпорности високог напона, отпорност на високу температуру, високу фреквенцију, низак губитак итд. То је основни материјал за припрему електронских уређаја за електронике високог снагу и микроталасних радиофреквера. Тренутно су главне методе растућих кристала СИЦ-а физички транспорт паре (ПВТ метода), хемијска паре са високим температурама (ХТЦВД метода), метода течне фазе итд.

Метода физичке паре (Пвт) је добро успостављена техника веома погодна за велику индустријску производњу. У овом процесу, кристал семена СИЦ-а постављен је на врху крњеве, док је Сички прах, који служи као сировина, постављен је у Цруцибле дно. Под условима високе температуре и ниског притиска унутар затвореног окружења, сички прах сублимира. Покретање температурне градијента и разлике концентрације, сублимирана врста се крећу према горе према региону у близини кристала семена. Једном када достигнете прекривану државу, настаје рекристализација, омогућавајући прецизну контролу над величином и специфичном кристалном типом одраслих си-их.

ЦВД ТАЦ пресвучен Три - Прстен за увод у петалу послужује вишеструке пресудне функције. Пре свега, побољшава механику флуида тако што ће водити ток гаса, осигуравајући да је подручје раста кристала изложен једноличној атмосфери. Поред тога, ефикасно се распрса топлота током процеса раста система СИЦ-а. Одржавајући одговарајуће градијете температуре, оптимизује услове раста за СИЦ кристале и ублажава ризик од кристалних оштећења узрокованих неравномерним дистрибуцијом температуре.