КР код
Производи
Контактирајте нас


Фак
+86-579-87223657

Емаил

Адреса
Вангда Роад, Зиианг Стреет, Вуии Цоунти, Јинхуа Цити, Зхејианг Провинце, Кина
|
Индустрија |
Производња полупроводника, техничка керамика (епитаксија / гравирање / раст ПВТ кристала) |
|
Процес |
ГаН МОЦВД, СиЦ епитаксија, СиЦ ПВТ раст кристала, јеткање плазмом |
|
Решење |
Графитни супстрат високе чистоће + ЦВД СиЦ/ТаЦ обложени сусцептор, прстен за предгревање, диверзиони прстен, полумесец, фокусни прстен; Чврсте СиЦ компоненте |
|
Услуге |
Прилагођавање на основу цртежа 1:1, процена узорка, чишћење и регенерација премаза, извештаји о инспекцији ГДМС/ИЦП-ОЕС, техничка подршка 24/7, међународна логистика |
|
Резултати |
• Чистоћа премаза може бити нижа од 5 ппм, неки достижу 99,99995% • Уједначеност дебљине контролисана унутар ±5%, типична дебљина 100–200 μм • Животни век графитног пријемника продужен на распон од 500–1000 сати под ГаН МОЦВД процесом • Принос премаза побољшан са 50% на 90% након решавања проблема са жутим ивицама (унутрашње кућиште) • Подржава замену 1:1 за главне платформе укључујући Аиктрон Г10, Веецо, АСМ, АМЕЦ, ТЕЛ |
Основни закључак:Избор правог ЦВД СиЦ, ТаЦ премаза или чврстог СиЦ директно одређује нивое честица и животни век компоненте на линијама епитаксије/гризања. Овај чланак пружа јасне границе избора према температури, атмосфери и процесу, упарен са главним решењима за замену опреме и кључним показатељима, како би вам помогао да брзо донесете одлуке и смањите ризик.
У ГаН МОЦВД процесима, пријемници обложени СиЦ-ом на бази графита могу типично да раде стабилно стотинама сати на 1100°Ц у атмосфери НХ₃/Х₂; међутим, због неуједначености термичког поља, разлике у веку трајања премаза између ивичних и средишњих региона могу премашити 50%. У процесима раста СиЦ ПВТ кристала, када температура пређе 1600°Ц, СиЦ премаз почиње да се сублимира и разграђује, што захтева прелазак на ТаЦ премаз или чврсте СиЦ растворе. Последице избора погрешног материјала компоненти — у најбољем случају, замена потрошног материјала свака 2-3 месеца; у најгорем случају, отпад од целе пећи облатни због контаминације честицама. Овај чланак је написао ВеТек Семицондуцтор технички тим (под вођством др. Сјаоа), са циљем да успостави систематски оквир за одлучивање „модел опреме → услови процеса → избор компоненти → очекивани животни век“ за инжењере за епитаксију/једкање/ПВТ, помажући вам да брзо ускладите материјале, контролишете честице и процените добављаче.
Основни закључак:Одлучите се за три димензије „температура → атмосфера → тип процеса“: дајте приоритет ЦВД СиЦ премазу на ≤1600°Ц; изаберите ТаЦ за >2000°Ц или јако корозивне атмосфере; дајте приоритет Солид СиЦ за сценарије јеткања и ултра-високе чистоће.
Када праве стварне изборе производне линије, инжењери најчешће питају: „За моју опрему Аиктрон/Веецо, која ради ГаН или СиЦ епитаксију, на којој температури и под каквом атмосфером, који премаз треба да користим?“ Одговор није компликован, али три димензије морају бити повезане.
ЦВД СиЦ премаз може и даље одржати структурни интегритет испод приближно 2000–2100°Ц. Изнад овог опсега долази до инконгруентног испаравања (преференцијално испаривање силицијума), што доводи до храпавости површине и повећања честица. ТаЦ премаз има тачку топљења чак 3880°Ц и може одржавати екстремно низак притисак паре чак и у окружењима раста ПВТ кристала изнад 2400°Ц. Чврсти СиЦ нема проблема са интерфејсом премаз-подлога и погодан је за компоненте коморе за нагризање које су подложне поновљеном топлотном шоку.
У срединама које садрже НХ3, Х2 или гасове на бази хлора, СиЦ премаз ради добро, али стопа корозије СиЦ водоником на високој температури је знатно већа од оне код ТаЦ. Експериментални подаци показују да је стопа корозије ТаЦ у високотемпературном амонијаку око 1/6 оне од СиЦ, ау водонику може бити чак и 1/10. Стога, стандардни услови за СиЦ епитаксију или ГаН МОЦВД углавном користе СиЦ премаз, док сценарији високе корозије или ултра-високе температуре морају прећи на ТаЦ.
• ГаН МОЦВД/Си епитаксија: дајте предност графиту високе чистоће + суцептору обложеном ЦВД СиЦ, прстен за претходно загревање
• Раст СиЦ ПВТ кристала: Топло препоручујем ТаЦ премаз за компоненте у врућој зони графита
• Плазма нагризање (фокусни прстен, итд.): Могући су чврсти СиЦ или графит обложен СиЦ, у зависности од захтева за честице и цене
• Критични делови коморе изузетно осетљиви на честице: дајте предност чврстом СиЦ-у без интерфејса премаза
![]()
Слика 1 – ВеТек главна изложба производа
Основни закључак:ВеТек подржава прилагођавање 1:1 на основу цртежа купаца или оригиналних резервних делова, покривајући главне платформе као што су Аиктрон Г10, Веецо К465и, АСМ Епсилон, итд. Стандардни производи се могу брзо испоручити; прилагођени делови обично трају 3–6 недеља.
Оно о чему многи инжењери највише брину није „да ли се може направити“, већ „да ли може бити стабилан као оригинални делови, са контролисаним временом испоруке и доступним потпуним извештајима о инспекцији“. Једна од основних могућности ВеТек-а је потпуно прилагођавање према цртежима, а да притом остане компатибилан са главним брендовима опреме.
Табела у наставку се може користити директно за интерни технички преглед или процену набавке:
|
Марка опреме |
Типичан модел |
Заменљиви делови |
Опција супстрата |
Цоатинг Оптион |
Реф. Животни вијек |
|
Аиктрон |
Г10 |
Сусцептор, предгрејни прстен |
Графит високе чистоће |
СиЦ |
500–1000 ч |
|
Веецо |
К465и |
Сусцептор, диверзиони прстен |
Графит високе чистоће |
СиЦ/ТаЦ |
300–800 ч |
|
АСМ |
Епсилон серија |
Сусцептор, фокусни прстен |
Чврсти СиЦ |
Без премаза |
2000+ х |
|
АМЕЦ |
Етцхер |
Фокусни прстен, Халфмоон |
Чврсти СиЦ/Графит |
СиЦ |
Процесом |
У стварним пројектима, често добијамо оригиналне резервне делове или ЦММ цртеже од купаца. Технички тим ће, након потврде усклађености термичког поља и толеранција димензија, дати препоруке о чистоћи подлоге, дебљини премаза и храпавости површине, и доставити узорке за верификацију купца на алату.
Основни закључак:Уједначеност дебљине која се контролише унутар ±5%, густина близу теоријске вредности и контролисана храпавост површине су срж за сузбијање осипања праха и контаминације честицама. Циљна чистоћа је испод 5 ппм, са критичним металним нечистоћама које прати ГДМС/ИЦП-ОЕС.
Проблеми са честицама су скоро ноћна мора сваког инжењера епитаксије. Једном када премаз има локалне танке тачке, поре или микропукотине, прах ће се распасти под поновљеним термичким циклусом и нападом корозивног гаса, директно повећавајући густину дефекта плочице.
Типична дебљина ЦВД СиЦ превлаке је 100–200 μм. Кроз процесне параметре и контролу поља протока, ВеТек стабилизује уједначеност дебљине унутар ±5%. После више од 1000 циклуса термичког удара (собна температура ↔ 1100°Ц), премаз не показује раслојавање и може да испуни строге захтеве ГаН МОЦВД за дефекте честица ≤0,1/цм².
Укупна чистоћа премаза и компоненти може бити нижа од 5 ппм, а неки производи достижу 99,99995%. Користимо ИЦП-ОЕС и ГДМС за анализу метала у траговима како бисмо осигурали да критичне нечистоће као што су Фе и Ни остану на контролисаним нивоима, избегавајући сметње у епитаксијалном слоју допинга или концентрацији носача.
β-СиЦ поликристални слој формиран ЦВД поступком има густину близу теоријске вредности (приближно 3,21 г/цм³) са изузетно ниском порозношћу. Храпавост површине (Ра) се може подесити у складу са захтевима процеса купца, обезбеђујући довољно механичко блокирање уз избегавање претварања у извор стварања честица.
![]()
Слика 2 – Извештај ГДМС инспекције за ЦВД СиЦ премаз
Основни закључак:Прецизном контролом почетне брзине таложења и поља протока како би се елиминисао микро-напрезање, ВеТек је побољшао принос премаза МОЦВД графитног пријемника купца са око 50% на 90%, и значајно продужио радни век.
Ово је права прича која се догодила на производној траци. Купац је пријавио жутило ивица и тенденцију љуштења на неким графитним подлошцима, што је довело до тога да се укупни принос премаза у шаржи дуго времена креће око 50%, уз високе трошкове одржавања линије и ризик од плочице.
Након што је интервенисао технички тим који је предводио др Сјао, два правца су била фокусирана на: прво, стопа таложења у почетној фази била је пребрза, што је изазвало акумулацију унутрашњег напрезања у премазу; друго, разлике у пољу протока између ивичних и централних региона довеле су до локалне прекомерне или премале дебљине. Оптимизацијом односа МТС/Х₂, профила температуре таложења и дизајна поља протока уређаја, микро-напрезање је ефикасно ослобођено. На крају, принос премаза те серије и накнадна производња су се стабилизовали изнад 90%, циклус замене купаца је очигледно продужен, а жалбе на честице су значајно опале.
Овај случај показује: „способност да се облачи“ је само почетна тачка; „стабилан премаз, дуготрајан и контролисање честица“ је стварна вредност до које инжењери брину. Подаци говоре више од било које промоције.
![]()
Слика 3 – ЦВД графитни сусцептор високе чистоће обложен силицијум карбидом са уједначеном бојом површине и без дефеката
Основни закључак:Обложени графитни делови имају нижу цену и бржи термички одговор, погодни за већину епитаксијских пријемника; Чврсти СиЦ нема ризик интерфејса и већу отпорност на плазму, погодан за компоненте за гравирање са високим захтевима и сценарије изузетно дугог века трајања.
Многи селекциони састанци се боре са: да ли да користимо обложени графит или да идемо директно на Солид СиЦ? То двоје се не односи само на „шта је боље“, већ на компромис између сценарија апликације и укупних трошкова власништва (ТЦО).
Предности обложених графитних делова:Висока топлотна проводљивост подлоге, брзо загревање, контролисани трошак; премаз обезбеђује хемијску баријеру и сузбијање честица. Погодно за ГаН/СиЦ епитаксијске пријемнике великих димензија којима је потребна висока термичка униформност.
Предности чврстог СиЦ-а:Монолитни β-СиЦ без интерфејса премаз-подлога, без ризика од деламинације; чистоћа може да достигне 5Н–7Н, изузетна отпорност на ерозију плазме, погодна за критичне делове за јеткање као што су фокусни прстенови и главе туша, са животним веком до 2000+ сати.
Основни закључак:Од надзора инсталације и упозорења на аномалије до професионалног чишћења и регенерације, формирање управљања у затвореном кругу може значајно смањити ТЦО и смањити учесталост набавке нових делова. ВеТек пружа наменске услуге чишћења за Аиктрон/Веецо и другу опрему.
Многе фабрике третирају обложене делове као потрошни материјал за „употребу и одбацивање“. У стварности, након професионалног чишћења и регенерације, значајан део компоненти се може вратити на нивое честица и термичке перформансе блиске новим деловима, посебно снопови и прстенови за предгревање за Аиктрон и Веецо платформе.
Препоручује се успостављање једноставног дневника животног циклуса: бележење времена инсталације, кумулативних радних сати, стања површине након сваког чишћења и резултата испитивања честица. Тек када премаз покаже очигледну жуту боју, локално раслојавање или упорно прекорачење честица, требало би да се покрене одлука о замени, а не да се прерано уклони на основу осећаја.
![]()
Слика 4 – Услуга чишћења графитних делова ЦВД СиЦ премаза
Основни закључак:Усредсредите се на систем ИСО9001, комплетне извештаје о инспекцији (ГДМС/ИЦП-ОЕС), подршку за узорке, поузданост у времену испоруке и техничку комуникацију на енглеском језику. ВеТек има подршку 24/7 и искуство у корисничком сервису у иностранству.
За међународне купце или фабрике са строгим захтевима за квалификацију добављача, следеће тачке су посебно критичне:
• Систем квалитета: ИСО9001, контролисан процесом и следљив.
• Способност инспекције: Обезбедите комплетне извештаје о анализи материјала за премаз и подлогу.
• Узорци и време испоруке: подршка евалуацији узорка; Стандардни производи се испоручују брзо, прилагођени делови обично 3-6 недеља, хитне поруџбине се могу убрзати након преговора.
• Техничка комуникација: И продајни и инжењерски тимови могу течно да комуницирају на енглеском, смањујући трошкове комуникације за купце у иностранству.
• Одговор након продаје: Обезбедите техничку подршку и помоћ у анализи кварова када премаз или компоненте покажу аномалије.
![]()
Слика 5 – Цео процес наручивања ВеТек производа
(1). Да ли производ подржава потпуно прилагођавање на основу цртежа? Којој главној опреми може да парира?
Да. Може да прилагоди сусцептор, прстен за предгревање, диверзиони прстен, полумесец, прстен за фокусирање, итд., компатибилан са платформама као што су Аиктрон Г10, Веецо, АСМ, АМЕЦ, ТЕЛ.
(2). Како се гарантује чистоћа? На ком нивоу се контролишу металне нечистоће?
Чистоћа премаза и компоненти може бити нижа од 5 ппм, а неки достижу 99,99995%. ИЦП-ОЕС, ГДМС и друга опрема се користе за анализу трагова, са комплетним извештајима.
(3). Шта је са уједначеношћу дебљине и животним веком ЦВД СиЦ/ТаЦ премаза?
Уједначеност дебљине се обично контролише унутар ±5%, дебљине 100–200 μм. Под одговарајућим прозорима процеса, животни век ГаН МОЦВД пријемника може достићи опсег од 500–1000 сати; Сценарији ултра-високих температура захтевају прелазак на ТаЦ или чврсти СиЦ.
(4). Да ли је подржано тестирање узорка? Које је уобичајено време испоруке за велике поруџбине?
Процена узорка је подржана. Стандардни производи се могу брзо испоручити; прилагођени делови обично трају 3-6 недеља, у зависности од сложености дизајна и запремине. Хитне поруџбине се могу убрзати након преговора.
(5). Који сертификати система квалитета су доступни? Да ли се могу обезбедити извештаји о инспекцији и подршка након продаје?
Систем управљања квалитетом ИСО9001 је успостављен. Могу се обезбедити извештаји о анализи материјала и премаза, заједно са техничком подршком која ради 24/7. Комуникација на енглеском за иностране купце је беспрекорна.
Избор се никада не односи на „одабир најскупљег“ или „избор најдебљег“, већ на „проналажење решења са најбољим балансом перформанси и цене у оквиру ваше опреме, прозора процеса и буџета за честице“. Надамо се да ће вам овај приручник помоћи да брзо успоставите оквир за одлучивање: прво погледајте температуру и атмосферу, затим ускладите премаз или чврсти СиЦ и на крају потврдите век трајања и перформансе честица помоћу података.
Ако процењујете решења за замену за цеви, прстенове за предгревање или компоненте вруће зоне на Аиктрон, Веецо или другим платформама, слободно контактирајте ВеТек технички тим директно. Можемо да пружимо препоруке за прилагођавање, подршку за узорке и комплетне извештаје о инспекцији на основу ваших цртежа или постојећих резервних делова. Доктор Ксиао и инжењерски тим спремни су да разговарају о оптимизацији термичког поља или посебним потребама развоја структуре са вама у било ком тренутку.
За детаље о производу и више техничких информација, молимоконтактирајте нас.
1. ВеТек Семицондуцтор интерни инжењерски подаци — животни век графитног пријемника обложеног СиЦ-ом од 500–1000 сати под ГаН МОЦВД процесом, принос премаза је побољшан са 50% на 90% након отклањања жутих ивица и других практичних случајева [1].
2. Т/ЦАСМЕ 2000-2025 Техничка спецификација за графитне сусцепторе обложене силицијум-карбидом за полупроводничку епитаксију — Специфицира техничке захтеве за графитне сусцепторе обложене СиЦ-ом припремљене ЦВД поступком на подлогама од изостатичког графита високе чистоће, применљиве на епитакси производе.
3. Т/ЦАСМЕ 2085-2025 Техничка спецификација за производе пресвучене тантал карбидом за раст кристала силицијум карбида — Техничка спецификација за производе од графита обложене ТаЦ у сценаријима раста кристала СиЦ.
4. Накамура ет ал., “Превлаке од синтерованог тантал карбида на графитним подлогама: високо поуздане заштитне превлаке за булк и епитаксијални раст,” Апплиед Пхисицс Леттерс, Вол. 106, 082108, 2015. — Потврђује да ТаЦ премази могу ефикасно заштитити графитне подлоге под високим температурама (>2000°Ц) и јако корозивним атмосферама, формирајући јасну границу перформанси са СиЦ премазима.
5. Ванг и сарадници, „Ефекти карбонизованог пуферског слоја на раст СиЦ на Си“, Јоурнал оф Цристал Гровтх, Вол. 199, стр. 564–567, 1999. — Расправља о ефектима баферског слоја и контроли површинске морфологије у процесу раста СиЦ ЦВД, индексирано од стране Сцопуса и Веб оф Сциенце.
Напомена: Подаци о животном веку и перформансама у тексту су типичне референтне вредности. На стварне перформансе утичу специфични процесни услови, статус опреме и ниво одржавања. Молимо проверите стварним мерењима.
Аутор:ВеТек Семицондуцтор Тецхницал Енгинееринг Тим (завршен под вођством др. Ксиао)
За даљу техничку дискусију или процену узорка, контактирајте нас преко званичне веб странице.
+86-579-87223657
Вангда Роад, Зиианг Стреет, Вуии Цоунти, Јинхуа Цити, Зхејианг Провинце, Кина
Ауторско право © 2024 ВуИи ТианИао Нев Материал Тецх.Цо.,Лтд. Сва права задржана.
Links | Sitemap | RSS | XML | Политика приватности |