Провидност Веецо Моцвд

То полуводичеВеецо МоцвдВаффер Суцептор је критична компонента, пажљиво дизајнирана употребом ултрапуре графита са аСИЛИЦОН ЦАРБИДЕ (СИЦ) премаз. ОвоСички премазПружа бројне користи, најизражава ефикасан топлотни пренос подлози. Постизање оптималне топлотне дистрибуције широм супстрата је од суштинског значаја за јединствену контролу температуре, осигуравајући доследан, висококвалитетни танки таложни талог, који је пресудан у изради полуводича.

Технички параметри

Матрица материјалних својстава

Кључни показатељи Ветек Стандардна традиционална решења

Чистоћа основне материјале 6н изостат графит 5н ливед графит

ЦТЕ Усклађивање (25-1400 ℃) Δα ≤0.3 × 10⁻⁶ / к δα ≥1.2 × 10⁻⁶ / к

Термално проводљивост @ 800 ℃ 110 В / м · К 85 В / м · К

Површинска храпавост (РА) ≤0.1μм ≥0,5 уМ

Толеранција киселине (пХ = 1 @ 80 ℃) 1500 циклуса 300 циклуса

Обнова основне предност

Иновација топлотног управљања

Техника подударања атомске Цте

Јапан Тоио Царбон Грапхите / СГЛ Субстрат + градијент Сиц премаз

Термички циклусни стрес смањен за 82% (мерено 1400 циклуса 500 циклуса без пуцања)

Интелигентни дизајн топлотног терена

Структура компензације температуре 12-зона: Постизање ± 0,5 ℃ Јединственост на површини φ200мм вафер

Динамични топлотни одговор: Температурни градијент ≤1.2 ℃ / цм на 5 ℃ / с брзини грејања

Систем хемијске заштите
Троструко композитна баријера

50 μм густи главни заштитни слој

Нанотац транзициони слој (опционо)

ДЕНСИФИКАЦИЈА ИНФИЛТРАЦИЈЕ ГАС ФАЗА

Верификовано АСТМ Г31-21:

ЦЛ базна стопа корозије <0,003мм / годишње

НХ3 изложено за 1000х без корозије граничне зрна

Интелигентни систем производње

Дигитална прерада близанаца

Високо особље за обраду пет осовина: Тачност положаја ± 1,5 μм

Интернет 3Д преглед скенирања: 100% верификација пуне величине (у складу са АСМЕ И14.5)

Презентација вредности на бази сценарија

Трећа генерација полуводичка масовна производња

Сценариј апликације Параметри ПРОЦЕСА ПРИБОРА КУПЦА

ГАН ХЕМТ 6 инча / 150 уМ Епитаксиална дводимензионална флуктуација електричне густине гаса <2%

СИЦ МОСФЕТ Ц Допингин уједначеност ± 3% одступање прага се смањује за 40%

Мицро ЛЕД таласна дужина ± 1,2нм Цхип стопе бина повећан је за 15%

Оптимизација трошкова за одржавање

Период чишћења се продужава 3 пута: ХФ: ХНО ₃ = 1: 3 Подржано је чишћење високог интензитета

Резервни делови Прогнози за предвиђање живота: АИ алгоритам тачност ± 5%

Семицондуцтор Ветека Веоецо Моцвд СОСцептор: