Суцептор Моцвд Сиц премаза

ВеТек Семицондуцтор МОЦВД СиЦ Цоатинг Сусцептор је направљен од високог квалитетаграфит, који је одабран због своје термичке стабилности и одличне топлотне проводљивости (око 120-150 В/м·К). Урођена својства графита чине га идеалним материјалом да издржи тешке услове унутраМОЦВД реактори. Да би побољшали своје перформансе и продужили свој радни век, графитни суцептор је пажљиво премазан слојем силицијум карбида (СИЦ).

Супцептор моцвд Сиц премаза је кључна компонента која се користи уХемијска таложење паре (ЦВД)ипроцеси депозиције металних органских хемијских пара (МОЦВД).. Његова главна функција је да подржи и загрева вафла силицијум или силицијум карбида (СИЦ) и обезбеди јединствени таложење гаса у окружењу високе температуре. То је неопходан производ у полуводичкој обради.

Примене МОЦВД СиЦ превлаке суцептора у обради полупроводника:

Подршка за плочице и грејање:

Суцептор за превлачење мокту не само да има само моћну функцију подршке, већ и ефикасно загревативаферравномерно да би се обезбедила стабилност процеса хемијског таложења паре. Током процеса таложења, висока топлотна проводљивост СиЦ превлаке може брзо пренети топлотну енергију на сваку област плочице, избегавајући локално прегревање или недовољну температуру, чиме се обезбеђује да се хемијски гас може равномерно депоновати на површини плочице. Овај уједначени ефекат загревања и таложења у великој мери побољшава конзистентност обраде плочице, чинећи дебљину површинског филма сваке плочице уједначеном и смањујући стопу дефекта, додатно побољшавајући принос производње и поузданост перформанси полупроводничких уређаја.

Раст епитаксије:

УМОЦВД процес, СИЦ пресвучени превозници су кључне компоненте у процесу раста епитаксије. Посебно се користе за подршку и топлоте силиконских и силиконских флидова, осигуравајући да материјали у фази испарења у хемијској парној пари могу бити једнолично и тачно депоновани на површини од лифе, чиме формирају висококвалитетне, без квалитетне танке филмске структуре без оштећења. Сиц премази нису само отпорни на високе температуре, већ и одржавају хемијску стабилност у сложеном процесном окружењу како би се избегла контаминација и корозију. Стога су носачи обложени СИЦ-а играли виталну улогу у процесу раста епитаксије високих прецизних полуводичких уређаја као што су СИЦ уређаји (као што су Сиц Мосфет и Диоде), ЛЕД-ови (посебно плаве и ултраљубичасте ћелије) и фотонаполне соларне ћелије.

Галлиум Нитрид (ГАН)и Галлиум Арсениде (Гаас) Епитакпија:

Пресвучени носачи су неопходни избор за раст епитаксијалних слојева ГАН и ГААС због њихове одличне топлотне проводљивости и ниске коефицијент топлотног експанзије. Њихова ефикасна топлотна проводљивост може равномерно дистрибуирати топлоту током епотаксијалног раста, осигуравајући да сваки слој депонованог материјала може равномерно расти на контролисаној температури. Истовремено, ниска термичка експанзија СИЦ-а омогућава да остане димензионално стабилна под екстремним променама температуре, ефективно смањујући ризик од деформације од рефлектора, чиме се обезбеђује висок квалитет и доследност епитаксијалног слоја. Ова функција врши носаче обложене СИЦ-ом идеалним избором за производњу високофреквентних, електронских уређаја високог снагу (као што су ГАН ХЕМТ уређаји) и оптичке комуникације и оптоелектронски уређаји (као што су ласери и детектори засновани на гааса).

То полуводичМоцвд СИЦ премаз Трговине суцептора: