ФИЦУЦСИНГ РИНГ за ЕТЦХИНГ је кључна компонента за осигурање тачности и стабилности процеса. Ове компоненте су прецизно састављене у вакуумској комори да би се постигла јединствена обрада наносцале структура на површини од прецизне контроле дистрибуције плазме, ивице температуре и електричној пољиви уједначеност.
Монокристално силиконским силиконским прстеновима су основне компоненте у поступцима полуводича одржавањем стабилности у плазми, заштитне опреме и вафла, оптимизацију коришћења ресурса и прилагођавање напредним захтевима процеса. Његов перформанс директно утиче на принос и трошкове производње чипова.
Јетњени прстен за фокусирање, електрода и итд. (Регулатор температуре ивица) су основни потрошни материјал за осигуравање уједначености у плазми, контрола температуре и поновљивост процеса. Ове компоненте су прецизно састављене у вакуумској комори ЦВД, ЕТЦХИНГ и ФИЛМ опреме и директно одређују тачност и принос јеткања од ивице до средишта решетка.
In response to the stringent demand for material properties in high-end manufacturing processes, Veteksemi innovates by using high-purity Monocrystalline Silicon with a resistivity of 10-20Ω ·cm to manufacture focusing rings and supporting consumables. Кроз колаборативно оптимизацију материјалних наука, електрични дизајн и термодинамика, ВетеКСЕМИ је у могућности да производи фокусирање прстенова и подршку потрошни материјал. Свеобухватно надмашити традиционална кварцна решења за постизање пробојних побољшања у дуговечности, тачности и економичности.
Поређење материјала и оптимизација отпора и отпорности
Моноцристаллине Силицон Вс. Кварц
Пројекат
Монокристални прстен за фокусирање силицијума (10-20 Ω · цм)
Кварцни прстен за фокусирање
Отпорност на корозију у плазми
Живот 5000-8000 вафла (процес на бази флуора / хлора)
Животни пренос 1500-2000 вафери
Топлотна проводљивост
149 в / м · к (Рапид топлотни дисипација топлоте, ΔТ Флуктуација ± 2 ℃)
1.4В / м · к (δт флуктуација ± 10 ℃)
Коефицијент топлотне експанзије
2.6 × 10⁻⁶ / к (страшно мечеви, нула деформација)
0,55 × 10⁻⁶ / К (лако померање)
Диелектрични губитак
ТАНЛΔ <0,001 (тачна контрола електричног поља)
ТАНЛΔ ~ 0.0001 (ЕЛЕКТРИЧНИ РАЗРЕДНИ РАЗРЕДИ)
Храпавост површине
РА <0,1 μм (Стандард чистоће класе 10)
РА <0,5 μм (ризик од високог честица)
Основни пренатски производe
1. Тачност процеса атомског нивоа
Оптимизација отпорности + ултра прецизни полирање (РА <0,1μм) елиминише микро-пражњење и контаминацију честица како би се испунио стандарде СЕМИ Ф47.
Диелектрични губитак (ТАНЛΔ <0,001) је високо подударан са диелектричним окружењем од махања, избегавајући изобличење ивице електричног поља и подржавање 3Д нанд 89,5 ° ± 0,3 ° вертикално дубоко рушење рупа.
2 Интелигентна компатибилност система
Интегрисано са итд модулом за контролу температуре ивице, проток ваздуха за хлађење динамички подешава термоелемент и АИ алгоритам за надокнаду коморе топлотне дрифте.
Подршка прилагођеној ручној мрежи РФ, погодна за маинстреам машине као што су Амат Центура, Лам Ресеарцх Киио и ИЦП / ЦЦП плазми извори.
3. Свеобухватна економичност
Живот монокристалног силицијума је дуже од 275% дуже од кварца, циклус одржавања је више од 3.000 сати, а свеобухватни трошак власништва (ТЦО) смањује се за 30%.
Услуга прилагођавања градијената за отпорност (5-100ω · цм), прецизно одговарајући прозору за процесе клијента (као што је Етцхинг Етцхинг Ган / СИЦ широког опсега).
Ефекат отпорности
Пројекат
Монокристални прстен за фокусирање силицијума (10-20 Ω · цм)
For inquiries about Silicon Carbide Coating, Tantalum Carbide Coating, Special Graphite or price list, please leave your email to us and we will be in touch within 24 hours.
Користимо колачиће да бисмо вам понудили боље искуство прегледања, анализирали саобраћај на сајту и персонализовали садржај. Коришћењем овог сајта прихватате нашу употребу колачића. Политика приватности