4 ° ОФФ АКСИС П-типа Сиц Вафер

Као професионални произвођач полупроводника у Кини, ВеТек Семицондуцтор 4° офф осе п-типеСиц рефОдноси се на 4х силицијум-карбид (сиц) ваферс који одступају 4 ° из главног кристалног смера кристала (обично Ц-осовине) при сечу и допирањем П-типа. Овај производ се обично користи у производњи електронских уређаја електронских уређаја и радиофреквенцијских (РФ) у ланцу полуводичке индустрије и има одличне предности производа.

Сечењем ван осе, ВеТек Семицондуцтор'с 4° офф акис п-типе СиЦ Вафер може ефикасно смањити дислокације и дефекте настале током раста епитаксијалног слоја, чиме се побољшава квалитет плочице. Поред тога, оријентација ван осе од 4° помаже да се добије уједначенији епитаксијални слој без дефекта, побољшава квалитет епитаксијалног слоја и генерално је погодан за производњу уређаја високих перформанси.

Штавише, ВеТек Семицондуцтор-ови производи п-типа СиЦ Вафер-а са 4° офф оси могу учинити да плочица има више носача рупа и формира полупроводник П-типа допирањем нечистоћа акцептора (као што су алуминијум или бор). П-тип 4Х-СиЦ плочице се често користе у производњи енергетских уређаја који захтевају слој П-типа. Овај тип полупроводника има одличне електричне особине.

У поређењу са другим полиморфима као што је 6Х-сиц,4х-сицИма већу електронску мобилност и квар електричне снаге електричне поља и погодна је за сценарије високог фреквенције и високог снагу. Поред тога, 4Х-СИЦ материјали имају одличан високоположни и високи температурни отпор и могу нормално радити у оштрим окружењима.

2ИНЦХ 4ИНЦХ 4 ° ОФФ АКСИС П-ТИЦ СИЦ СИЦ стандарди који се односе на Величина：

6 инча 4° офф осе п-тип СиЦ Вафер Стандарди који се односе на величину：

4° офф осе п-типе СиЦ Вафер Детецтион методе и терминологија：

ВеТек Семицондуцтор већ има 4° ван осе п-тип 4Х-СиЦ подлоге од 2~6 инча.Подлога је допед са алуминијумом и чини се плавом бојом. Отпорности се креће од 0,1 до 0,7Ω • цм. 

Ако имате захтеве производа за 4 ° Осовина Акис П-типа Сиц Вафер, добродошли да бисте се консултули са нама.