Вести

Монокристални материјали сами по себи не могу задовољити потребе растуће производње разних полупроводничких уређаја. Крајем 1959. године развијен је танак слој технологије раста монокристалног материјала – епитаксијални раст.

Силиконски карбид је један од идеалних материјала за прављење високих температура, високог фреквенцијских и високонапонских уређаја. Да би се побољшала ефикасност производње и смањење трошкова, припрема силицијума са силиконским карбидима важан је правац развоја.

Према прелазним вестима, два извора откривена 24. јуна да се на тонилансира са америчким дизајном Цхип Цомпани Броадцом-а да развије напредна информационо-процесор за вештачку интелигенцију (АИ), који ће помоћи подземном понудом да се адекватно снабдева врхунским циповима у Кини и Сједињене Државе.